TSFF5200

更新时间： 2024-11-17 22:19:07

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威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
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6页	89K
描述
High Speed IR Emitting Diode in ? mm (T-13/4) Package

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TSFF5200 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.6 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
峰值波长：	870 nm	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAlAs	光谱带宽：	4e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
视角：	20 deg	Base Number Matches：	1

TSFF5200 数据手册

TSFF5200

Vishay Telefunken

High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–1 )

Package

Description

94 8390

TSFF5200 is a high speed infrared emitting diode in

GaAlAs on GaAlAs double hetero (DH) technology,

molded in a clear, untinted plastic package.

The new technology combines the high speed of DH–

GaAlAs with the efficiency of standard GaAlAs and the

low forward voltage of the standard GaAs technology.

Features

High modulation bandwidth (35 MHz)

Extra high radiant power and radiant intensity

Low forward voltage

Suitable for high pulse current operation

Standard T–1 (ø 5 mm) package

Angle of half intensity ϕ = ± 10

Peak wavelength = 870 nm

High reliability

Good spectral matching to Si photodetectors

Applications

IInfrared video data transmission between Camcorder and TV set.

Free air data transmission systems with high modulation frequencies or

high data transmission rate requirements.

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C

Parameter

Reverse Voltage

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Forward Current

100

300

250

K/W

Peak Forward Current

Surge Forward Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Soldering Temperature

Thermal Resistance Junction/Ambient

t /T = 0.5, t = 100 s

t = 100 s

FSM

100

–25...+85

260

amb

stg

5sec, 2 mm from case

300

thJA

Document Number 81060

Rev. 2, 29-Jun-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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