Datasheet > 光电 > 红外 LED> TSFF6210-MSZ

TSFF6210-MSZ

更新时间： 2024-11-06 13:14:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		半导体红外LED 光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	118K
描述
Infrared LED, 870nm

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TSFF6210-MSZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.8 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	峰值波长：	870 nm
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	GaAlAs
光谱带宽：	4e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	视角：	20 deg
Base Number Matches：	1

TSFF6210-MSZ 数据手册

TSFF6210

Vishay Semiconductors

High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm,

GaAlAs Double Hetero

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): ∅ 5

• Peak wavelength: λ_p= 870 nm

• High reliability

• High radiant power

• High radiant intensity

• Angle of half intensity: ϕ = 10ꢀ

94 8389

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current operation

• High modulation bandwidth: f_c= 24 MHz

• Good spectral matching with Si photodetectors

DESCRIPTION

TSFF6210 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs

double hetero (DH) technology with high radiant power and

• Lead (Pb)-free component in accordance with

RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

APPLICATIONS

• Infrared video data transmission between Camcorder and

TV set

• Free air data transmission systems with high modulation

frequencies or high data transmission rate requirements

• Smoke-automatic fire detectors

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT

I_e(mW/sr)

ϕ (deg)

_P(nm)

t_r(ns)

TSFF6210

180

870

Note

Test conditions see table “Basic Characteristics”

ORDERING INFORMATION

ORDERING CODE

PACKAGING

Bulk

REMARKS

PACKAGE FORM

TSFF6210

MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk

T-1¾

Note

MOQ: minimum order quantity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

Forward current

V_R

I_F

100

200

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

t_p/T = 0.5, t_p= 100 µs

t_p= 100 µs

I_FM

I_FSM

P_V

180

Document Number: 81352

Rev. 1.0, 05-Sep-08

For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

www.vishay.com

143

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与TSFF6210-MSZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TSFF6410	VISHAY	获取价格	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6410-ASZ	VISHAY	获取价格	TSFF6410 - High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6410-ESZ	VISHAY	获取价格	暂无描述
TSFM	VISHAY	获取价格	Thin Film Top-Contact Resistor for High Temperature Applications
TSFP-14V-K5GG	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加
TSFP-16V-K5GG	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加
TSFP-18V-K5GG	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加
TSFP-24V-K5GG	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加
TSFR-14V-K-FB	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加
TSFR-16V-K-FB	JST	获取价格	该TSF连接器是一种组合式连接器，具有浮动功能，便于设备的设计，通过在两端四个接地触点上加

与TSFF6210-MSZ相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TSFF6210-MSZ

TSFF6210-MSZ 技术参数

TSFF6210-MSZ 数据手册

与TSFF6210-MSZ相关器件

与TSFF6210-MSZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TSFF6210-MSZ

TSFF6210-MSZ 技术参数

TSFF6210-MSZ 数据手册

与TSFF6210-MSZ相关器件

与TSFF6210-MSZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？