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Datasheet > 光电 > 红外 LED> TSFF5510-ASZ
TSFF5510-ASZ PDF预览

TSFF5510-ASZ

更新时间： 2024-11-18 13:14:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 107K
描述
Infrared LED, LAMP,IRED,870NM PEAK WAVELENGTH,LED-2B

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TSFF5510-ASZ 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67最大正向电流：0.1 A
最大正向电压：1.7 V安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：INFRARED LED峰值波长：870 nm
最大反向电压：5 V半导体材料：GaAlAs
光谱带宽：5.5e-8 m子类别：Infrared LEDs
表面贴装：NO视角：76 deg
Base Number Matches：1

TSFF5510-ASZ 数据手册

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TSFF5510  
Vishay Semiconductors  
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm,  
GaAlAs Double Hetero  
Description  
TSFF5510 is an infrared, 870 nm emitting diode in  
GaAlAs double hetero (DH) technology with high  
radiant power and high speed, molded in a clear,  
untinted, plastic package.  
Features  
• Package type: leaded  
• Dimensions: T-1¾ (∅ 5 mm)  
21061  
• Peak wavelength: λ = 870 nm  
• High reliability  
p
e2  
• High radiant power  
• High radiant intensity  
• Angle of half intensity: ϕ = 38°  
• Low forward voltage  
Applications  
• Infrared video data transmission between  
camcorder and TV set  
• Suitable for high pulse current operation  
• High modulation bandwidth  
• Free air data transmission systems with high  
modulation frequencies or high data transmission  
• Good spectral matching to Si photodetectors  
• Lead(Pb)-freecomponentinaccordancewith  
RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC  
Product Summary  
Component  
Symbol  
Value  
Unit  
φe  
Ie  
55  
32  
mW  
mW/sr  
ns  
TSFF5510  
tr, tf  
ϕ
15  
38  
deg  
λp  
870  
nm  
Ordering Information  
Ordering code  
Packing  
Bulk  
Remarks  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
TSFF5510  
Note:  
MOQ: minimum order quantity  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse voltage  
VR  
IF  
5
100  
V
mA  
mA  
A
Forward current  
Peak forward current  
Surge forward current  
Power dissipation  
tp/T = 0.5, tp = 100 µs  
tp = 100 µs  
IFM  
IFSM  
PV  
200  
1
170  
mW  
°C  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature  
Thermal resistance junction/ambient  
Tj  
100  
Tamb  
Tstg  
Tsd  
RthJA  
- 40 to + 85  
- 40 to + 100  
260  
°C  
°C  
t ≤ 5 s, 2 mm from case  
°C  
J-STD-051, leads 7 mm soldered on PCB  
250  
K/W  
Document Number 81835  
Rev. 1.0, 07-Feb-08  
www.vishay.com  
1
For technical support, contact: emittertechsupport@vishay.com  
123456

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与TSFF5510-ASZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSFF6210 VISHAY

获取价格

 		High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6210_09 VISHAY

获取价格

 		High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6210-MSZ VISHAY

获取价格

 		Infrared LED, 870nm
TSFF6410 VISHAY

获取价格

 		High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6410-ASZ VISHAY

获取价格

 		TSFF6410 - High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6410-ESZ VISHAY

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 		暂无描述
TSFM VISHAY

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 		Thin Film Top-Contact Resistor for High Temperature Applications
TSFP-14V-K5GG JST

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