5秒后页面跳转
TSFF6410 PDF预览

TSFF6410

更新时间: 2024-11-09 08:34:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

TSFF6410 数据手册

 浏览型号TSFF6410的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TSFF6410的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TSFF6410的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TSFF6410的Datasheet PDF文件第5页 
TSFF6410  
Vishay Semiconductors  
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero  
FEATURES  
• Package type: leaded  
• Package form: T-1¾  
• Dimensions (in mm): 5  
• Peak wavelength: λp = 870 nm  
• High reliability  
• High radiant power  
• High radiant intensity  
• Angle of half intensity: ϕ = 22ꢀ  
• Low forward voltage  
94 8389  
• Suitable for high pulse current operation  
• High modulation bandwidth: fc = 24 MHz  
• Good spectral matching to Si photodetectors  
DESCRIPTION  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TSFF6410 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs  
double hetero (DH) technology with high radiant power and  
high speed, molded in a clear, untinted plastic package.  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
APPLICATIONS  
• Infrared video data transmission between camcorder and  
TV set  
• Free air data transmission systems with high modulation  
frequencies or high data transmission rate requirements  
PRODUCT SUMMARY  
COMPONENT  
Ie (mW/sr)  
ϕ (deg)  
λ
P (nm)  
tr (ns)  
TSFF6410  
70  
22  
870  
15  
Note  
Test conditions see table “Basic Characteristics”  
ORDERING INFORMATION  
ORDERING CODE  
PACKAGING  
Bulk  
REMARKS  
PACKAGE FORM  
TSFF6410  
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk  
T-1¾  
Note  
MOQ: minimum order quantity  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Reverse voltage  
VR  
IF  
5
100  
V
mA  
mA  
A
Forward current  
Peak forward current  
tp/T = 0.5, tp = 100 µs  
tp = 100 µs  
IFM  
IFSM  
PV  
200  
Surge forward current  
Power dissipation  
1
180  
mW  
ꢀC  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature  
Tj  
100  
Tamb  
Tstg  
Tsd  
- 40 to + 85  
- 40 to + 100  
260  
ꢀC  
ꢀC  
t 5 s, 2 mm from case  
ꢀC  
Thermal resistance junction/ambient  
Note  
amb = 25 ꢀC, unless otherwise specified  
J-STD-051, leads 7 mm, soldered on PCB  
RthJA  
230  
K/W  
T
Document Number: 81126  
Rev. 1.1, 29-Jun-09  
For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com  
www.vishay.com  
1

与TSFF6410相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSFF6410-ASZ VISHAY

获取价格

TSFF6410 - High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF6410-ESZ VISHAY

获取价格

暂无描述
TSFM VISHAY

获取价格

Thin Film Top-Contact Resistor for High Temperature Applications
TSFP-14V-K5GG JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFP-16V-K5GG JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFP-18V-K5GG JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFP-24V-K5GG JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFR-14V-K-FB JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFR-16V-K-FB JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加
TSFR-18V-K-FB JST

获取价格

该TSF连接器是一种组合式连接器,具有浮动功能,便于设备的设计,通过在两端四个接地触点上加