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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TSG12N06A | WUXI UNIGROUP |
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通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大 |
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| TSG12N06AC | WUXI UNIGROUP |
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通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大 |
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| TSG12N06AT | WUXI UNIGROUP |
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通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大 |
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| TSG15N120 | TSC |
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N-Channel IGBT with FRD. |
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| TSG15N120CN | TSC |
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N-Channel IGBT with FRD. |
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| TSG15N120CNC0 | TSC |
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N-Channel IGBT with FRD. |
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| TSG25N100DF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| TSG25N100DV | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| TSG25N120 | TSC |
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N-Channel IGBT with FRD. |
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| TSG25N120CN | TSC |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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