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TSFF5410

更新时间： 2024-11-21 03:26:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
High Speed IR Emitting Diode in 5 mm (T-1 3 /4) Package

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TSFF5410 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.20.00
风险等级：5.07其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最大正向电流：0.1 A
最大正向电压：1.8 VJESD-609代码：e3
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：INFRARED LED标称输出功率：50 mW
峰值波长：870 nm最大反向电压：5 V
半导体材料：GaAlAs形状：ROUND
尺寸：5 mm光谱带宽：4e-8 m
子类别：Infrared LEDs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)视角：44 deg
Base Number Matches：1

TSFF5410 数据手册

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TSFF5410  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
High Speed IR Emitting Diode in ∅ 5 mm (T-1¾) Package  
Description  
TSFF5410 is a high speed infrared emitting diode in  
GaAlAs on GaAlAs double hetero (DH) technology,  
molded in a clear, untinted plastic package.  
DH technology combines high speed with high radiant  
power at wavelength of 870 nm.  
94 8390  
Features  
• High modulation bandwidth (23 MHz)  
• Extra high radiant power and radiant intensity  
• Low forward voltage  
• Suitable for high pulse current operation  
Applications  
• Standard T-1¾ (∅ 5 mm) package  
• Angle of half intensity ϕ = 22°  
• Peak wavelength λp = 870 nm  
• High reliability  
• Good spectral matching to Si photodetectors  
• Lead-free device  
Infrared video data transmission between Camcorder  
and TV set.  
Free air data transmission systems with high modu-  
lation frequencies or high data transmission rate  
requirements.  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
amb  
Test condition  
Symbol  
Value  
5
Unit  
V
Reverse Voltage  
V
R
Forward current  
I
100  
200  
mA  
mA  
A
F
Peak Forward Current  
Surge Forward Current  
Power Dissipation  
t /T = 0.5, t = 100 µs  
I
FM  
p
p
t = 100 µs  
I
1
p
FSM  
P
250  
mW  
°C  
V
Junction Temperature  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature  
T
100  
j
T
- 25 to + 85  
- 25 to + 85  
260  
°C  
amb  
T
°C  
stg  
t ≤ 5 sec, 2 mm from case  
T
°C  
sd  
Thermal Resistance Junction/  
Ambient  
R
300  
K/W  
thJA  
Document Number 81091  
Rev. 1.4, 23-Jun-04  
www.vishay.com  
1
12345

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TSFF5410 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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TSFF5410-ASZ VISHAY

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 		TSFF5410 - High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
TSFF5410-CSZ VISHAY

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