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TPCP8010(TE85L)

更新时间: 2024-01-30 07:12:57
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 236K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,6A I(D),TSOP

TPCP8010(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1.96 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
Base Number Matches:1

TPCP8010(TE85L) 数据手册

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TPCP8010  
8. Characteristics Curves (Note)  
Fig. 8.1 ID - VDS  
Fig. 8.2 ID - VDS  
Fig. 8.3 ID - VGS  
Fig. 8.4 VDS - VGS  
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID  
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta (Note 7)  
2012-09-28  
Rev.2.0  
5

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