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TPCP8101(TE85L,F)

更新时间： 2024-09-23 15:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 223K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5.6A I(D),TSOP

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TPCP8101(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.68 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

TPCP8101(TE85L,F) 数据手册

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TPCP8101  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS III)  
TPCP8101  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
A
M
0.05  
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON-resistance: R = 24 mΩ (typ.)  
8
5
DS (ON)  
( V  
= −4.5 V)  
GS  
•
•
•
High forward transfer admittance: |Y | = 14 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 μA (max) (V  
= −20 V)  
0.475  
1
4
DSS  
DS  
B
B
M
0.05  
0.65  
Enhancement model: V = −0.5 to −1.2 V  
th  
2.9±0.1  
A
(V  
DS  
= −10 V, I = −200 μA)  
D
0.8±0.05  
S
0.025  
+0.1  
-0.11  
S
0.28  
0.17±0.02  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.13  
-0.12  
-20  
-20  
V
V
V
V
V
DSS  
+0.1  
-0.11  
0.28  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
GS  
DGR  
1. Source  
2. Source  
3. Source  
4. Gate  
5. Drain  
6. Drain  
7. Drain  
8. Drain  
± 8  
V
GSS  
I
-5.6  
-22.4  
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
Pulse (Note 1)  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
JEDEC  
JEITA  
⎯
1.68  
0.84  
W
W
P
D
D
(Note 2a)  
⎯
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
TOSHIBA  
2-3V1K  
20.3  
-5.6  
mJ  
A
Single-pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
Weight: 0.017 g (typ.)  
I
AR  
0.168  
150  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
-55 to 150  
Storage temperature range  
T
stg  
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
Circuit Configuration  
Marking (Note 5)  
8
7
5
6
8
7
6
5
8101  
1
2
3
4
2
1
4
3
Lot No.  
1
2010-02-01  
1234567

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