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TPC8003 PDF预览

TPC8003

更新时间： 2024-01-28 10:53:28
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 500K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)

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TPC8003 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：2-6J1B, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.34
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC8003 数据手册

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TPC8003  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)  
TPC8003  
Lithium Ion Battery Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
Notebook PC Applications  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Small footprint due to small and thin package  
Low drain−source ON resistance : R  
= 5.4 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance : |Y | = 21 S (typ.)  
fs  
Low leakage current : I  
= 10 µA (max) (V = 30 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode : V = 0.8~2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
DS D  
th  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
30  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
±20  
13  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
52  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
P
2.4  
1.0  
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-6J1B  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
Weight: 0.080 g (typ.)  
P
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
220  
13  
mJ  
A
AS  
Circuit Configuration  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
0.24  
mJ  
AR  
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2004-07-06  
1234567

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与TPC8003相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8003(TE12L) TOSHIBA

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TPC8004 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
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