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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TN2524N8-G
TN2524N8-G PDF预览

TN2524N8-G

更新时间： 2024-09-19 03:02:03
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 696K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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TN2524N8-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：7.94
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.36 A最大漏极电流 (ID)：0.36 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：25 pFJEDEC-95代码：TO-243AA
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：40 ns
最大开启时间（吨）：20 nsBase Number Matches：1

TN2524N8-G 数据手册

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TN2524  
N-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FET  
Features  
General Description  
This low threshold, enhancement-mode (normally-off)  
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s  
well-proven, silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and the high input impedance  
and positive temperature coefficient inherent in MOS devices.  
Characteristic of all MOS structures, this device is free  
from thermal runaway and thermally-induced secondary  
breakdown.  
► Low threshold — ±.2V max  
► High input impedance  
► Low input capacitance — 1±5pF max  
► Fast switching speeds  
► Low ON-resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
► Complementary N and P-channel devices  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide  
range of switching and amplifying applications where very  
low threshold voltage, high breakdown voltage, high input  
impedance, low input capacitance, and fast switching speeds  
are desired.  
Applications  
► Logic level interfaces — ideal for TTL and CMOS  
► Solid state relays  
► Battery operated systems  
► Photo voltaic devices  
► Analog switches  
► General purpose line drivers  
► Telecom switches  
Ordering Information  
RDS(ON)  
VGS(th)  
max  
(V)  
ID(ON)  
min  
(A)  
Package Options  
BVDSS/BVDGS  
max  
(V)  
TO-243AA (SOT-89)  
Die*  
(Ω)  
±42  
6.2  
±.2  
1.2  
TN±5±4N8-G  
TN±5±4ND  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
* MIL visual screening available.  
Pin Configuration  
DRAIN  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
SOURCE  
DRAIN  
Value  
GATE  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
BVDSS  
BVDGS  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
Gate-to-source voltage  
±±2V  
-55OC to +152OC  
Product Marking  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
322OC  
TN5CW  
W = Code for week sealed  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
12345

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TN2524N8-G 替代型号

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