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STD5N20LT4

更新时间: 2024-02-23 00:56:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
10页 277K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET

STD5N20LT4 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:1.61
Samacsys Description:STMicroelectronics STD5N20LT4 N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 200 V, 3-Pin DPAK外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.7 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

STD5N20LT4 数据手册

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STD5N20L  
N-CHANNEL 200V - 0.65- 5A DPAK  
STripFET™ MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
Pw  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STD5N20L  
200 V  
< 0.7  
5 A  
33 W  
TYPICAL R (on) = 0.65 @ 5V  
DS  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
LOW INPUT CAPACIATNCE  
LOW THRESHOLD DEVICE  
3
1
DESCRIPTION  
The STD5N20L utilizes the latest advanced de-  
sign rules of ST’s proprietary STripFET™ technol-  
ogy. This is suitable for the most demanding DC  
Motor Control and lighting application.  
DPAK  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
UPS AND MOTOR CONTROL  
LIGHTING  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STD5N20LT4  
D5N20L  
DPAK  
TAPE & REEL  
Rev. 3  
September 2004  
1/10  
NEW DATASHEET ACCORDING TO PCN DSG-TRA/04/532  

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