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TN2540-800G

更新时间: 2024-11-25 22:42:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
SCR

TN2540-800G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.1
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:40 mA
最大直流栅极触发电压:1.3 V最大维持电流:50 mA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
最大漏电流:0.005 mA湿度敏感等级:1
通态非重复峰值电流:314 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:25000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:25 A
重复峰值关态漏电流最大值:5 µA断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TN2540-800G 数据手册

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®
TN2540-G  
SCR  
FEATURES  
HIGH SURGE CAPABILITY  
A
HIGH ON-STATE CURRENT  
HIGH STABILITY AND RELIABILITY  
DESCRIPTION  
A
G
The TN2540 series of Silicon Controlled Rectifiers  
uses a high performance glass passivated tech-  
nology.  
K
D2PAK  
This SCR is designed for power supplies up to  
400Hz on resistive or inductive load.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
RMS on-state current  
(180 conduction angle)  
°
IT(RMS)  
Tc= 100 C  
25  
A
°
Average on-state current  
°
IT(AV)  
ITSM  
Tc= 100 C  
16  
A
A
°
(180 conduction angle)  
Non repetitive surge peak on-state current  
tp = 8.3 ms  
314  
(Tj initial = 25°C)  
tp = 10 ms  
tp = 10ms  
300  
450  
100  
I2t Value for fusing  
I2t  
A2s  
µ
A/ s  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
IG = 100 mA  
µ
dIG /dt = 1 A/ s.  
Tstg  
Tj  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
°C  
°
C
Tl  
Maximum temperature for soldering during 10s  
260  
TN2540-  
Symbol  
Parameter  
Unit  
600G  
600  
800G  
VDRM  
VRRM  
Repetitive peak off-state voltage  
Tj = 125°C  
800  
V
May 1998 - Ed: 5  
1/5  

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