TIP35BG

更新时间： 2024-01-17 17:33:59

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	81K
描述
Complementary Silicon High?Power Transistors

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TIP35BG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

TIP35BG 数据手册

TIP35A, TIP35B, TIP35C

(NPN); TIP36A, TIP36B,

TIP36C (PNP)

TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred Devices

Complementary Silicon

High−Power Transistors

http://onsemi.com

Designed for general−purpose power amplifier and switching

applications.

25 AMPERE

Features

COMPLEMENTARY SILICON

POWER TRANSISTORS

60−100 VOLTS, 125 WATTS

• 25 A Collector Current

• Low Leakage Current −

= 1.0 mA @ 30 and 60 V

CEO

• Excellent DC Gain −

= 40 Typ @ 15 A

• High Current Gain Bandwidth Product −

⎪h ⎪= 3.0 min @ I

= 1.0 A, f = 1.0 MHz

• Pb−Free Packages are Available*

SOT−93 (TO−218)

CASE 340D

STYLE 1

MAXIMUM RATINGS

TIP35A TIP35B TIP35C

TIP36A TIP36B TIP36C

Rating

Symbol

Unit

Vdc

Adc

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

Collector Current

100

CEO

5.0

MARKING DIAGRAM

− Continuous

− Peak (Note 1)

Base Current − Continuous

Total Power Dissipation

5.0

Adc

125

AYWWG

TIP3xx

@ T = 25_C

Derate above 25_C

W/_C

Operating and Storage

Junction Temperature Range

T , T

−65 to +150

stg

Unclamped Inductive Load

THERMAL CHARACTERISTICS

= Assembly Location

= Year

Characteristic

Symbol

Max

Unit

= Work Week

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

1.0

°C/W

TIP3xx = Device Code

= 5A, 5B, 5C

6A, 6B, 6C

= Pb−Free Package

Junction−To−Free−Air

Thermal Resistance

35.7

°C/W

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

1. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle v 10%.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

September, 2005 − Rev. 5

TIP35A/D

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TIP35C	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
TIP35C	MOTOROLA	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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