Datasheet > TIP35CA

TIP35CA

更新时间： 2024-01-27 23:53:49

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	445K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TIP35CA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

TIP35CA 数据手册

SEMICONDUCTOR

TIP35CA

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

Recommended for 75W Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

Complementary to TIP36CA.

Icmax:25A.

MILLIMETERS

DIM

15.60 0.20

4.80 0.20

19.90 0.20

2.00 0.20

1.00 0.20

3.00 0.20

3.80 0.20

3.50 + 0.20

13.90 0.20

12.76 0.20

23.40 + 0.20

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1.5+0.15-0.05

16.50 + 0.30

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

1.40 0.20

13.60 + 0.20

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

9.60 0.20

5.45 0.30

3.20 0.10

18.70 0.20

0.60+0.15-0.05

1. BASE

2. COLLECTOR (HEAT SINK)

3. EMITTER

I_B

Base Current

5.0

Collector Power Dissipation

TO-3P(N)-E

P_C

125

(Tc=25

)

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=100V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=50mA, I_B=0

V_CE=5V, I_C=1.5A

V_CE=4V, I_C=15A

I_C=15A, I_B=1.5A

I_C=25A, I_B=5.0A

V_CE=5V, I_C=5A

V_CE=5V, I_C=1A

Collector-emitter Breakdown Voltage

100

160

DC Current Gain

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE

1.8

4.0

1.5

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

f_T

3.0

MHz

Note : h_FE(1) Classification R:55~110, O:80~160

2005. 5. 16

Revision No : 0

1/2

下载PDF

与TIP35CA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIP35CF	KISEMICONDUCTOR	Silicon NPN Power Transistor	获取价格
TIP35CF	CDIL	POWER TRANSISTORS	获取价格
TIP35CFNPN	CDIL	POWER TRANSISTORS	获取价格
TIP35CG	ONSEMI	Complementary Silicon High?Power Transistors	获取价格
TIP35CG-X-T3N-T	UTC	HIGH POWER TRANSISTORS	获取价格
TIP35CG-X-T3P-T	UTC	HIGH POWER TRANSISTORS	获取价格