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TIP35CA

更新时间： 2024-11-04 12:30:59

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KEC		晶体晶体管
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2页	445K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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TIP35CA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P(N)-E, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

TIP35CA 数据手册

SEMICONDUCTOR

TIP35CA

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

Recommended for 75W Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

Complementary to TIP36CA.

Icmax:25A.

MILLIMETERS

DIM

15.60 0.20

4.80 0.20

19.90 0.20

2.00 0.20

1.00 0.20

3.00 0.20

3.80 0.20

3.50 + 0.20

13.90 0.20

12.76 0.20

23.40 + 0.20

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1.5+0.15-0.05

16.50 + 0.30

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

1.40 0.20

13.60 + 0.20

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

9.60 0.20

5.45 0.30

3.20 0.10

18.70 0.20

0.60+0.15-0.05

1. BASE

2. COLLECTOR (HEAT SINK)

3. EMITTER

I_B

Base Current

5.0

Collector Power Dissipation

TO-3P(N)-E

P_C

125

(Tc=25

)

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=100V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=50mA, I_B=0

V_CE=5V, I_C=1.5A

V_CE=4V, I_C=15A

I_C=15A, I_B=1.5A

I_C=25A, I_B=5.0A

V_CE=5V, I_C=5A

V_CE=5V, I_C=1A

Collector-emitter Breakdown Voltage

100

160

DC Current Gain

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE

1.8

4.0

1.5

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

f_T

3.0

MHz

Note : h_FE(1) Classification R:55~110, O:80~160

2005. 5. 16

Revision No : 0

1/2

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