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TIP35CG

更新时间： 2024-11-03 08:48:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
Complementary Silicon High?Power Transistors

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TIP35CG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-218包装说明：LEAD FREE, CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.66
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP35CG 数据手册

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TIP35A, TIP35B, TIP35C  
(NPN); TIP36A, TIP36B,  
TIP36C (PNP)  
TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred Devices  
Complementary Silicon  
High−Power Transistors  
http://onsemi.com  
Designed for general−purpose power amplifier and switching  
applications.  
25 AMPERE  
Features  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60−100 VOLTS, 125 WATTS  
• 25 A Collector Current  
• Low Leakage Current −  
I
= 1.0 mA @ 30 and 60 V  
CEO  
• Excellent DC Gain −  
h
= 40 Typ @ 15 A  
FE  
• High Current Gain Bandwidth Product −  
⎪h ⎪= 3.0 min @ I  
fe  
C
= 1.0 A, f = 1.0 MHz  
• Pb−Free Packages are Available*  
SOT−93 (TO−218)  
CASE 340D  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
TIP35A TIP35B TIP35C  
TIP36A TIP36B TIP36C  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current  
V
60  
60  
80  
80  
100  
100  
CEO  
V
CB  
EB  
V
5.0  
MARKING DIAGRAM  
I
C
25  
40  
− Continuous  
− Peak (Note 1)  
Base Current − Continuous  
Total Power Dissipation  
I
5.0  
Adc  
B
P
125  
D
AYWWG  
TIP3xx  
@ T = 25_C  
C
W
Derate above 25_C  
W/_C  
_C  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
90  
J
stg  
Unclamped Inductive Load  
E
mJ  
SB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
WW  
= Work Week  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
1.0  
°C/W  
q
JC  
TIP3xx = Device Code  
xx  
G
= 5A, 5B, 5C  
6A, 6B, 6C  
= Pb−Free Package  
Junction−To−Free−Air  
Thermal Resistance  
R
35.7  
°C/W  
q
JA  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle v 10%.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
September, 2005 − Rev. 5  
TIP35A/D  
 
123456

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TIP35CG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP35C ONSEMI

完全替代

 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TIP35C STMICROELECTRONICS

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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