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TIP35C

更新时间： 2024-02-26 10:06:02
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP35C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

TIP35C 数据手册

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by TIP35A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.  
•
•
•
•
25 A Collector Current  
Low Leakage Current — I  
Excellent DC Gain — h  
High Current Gain Bandwidth Product —  
f = 1.0 MHz  
= 1.0 mA @ 30 and 60 V  
CEO  
= 40 Typ @ 15 A  
FE  
h = 3.0 min @ I = 1.0 A,  
fe C  
MAXIMUM RATINGS  
TIP35A TIP35B TIP35C  
TIP36A TIP36B TIP36C  
*Motorola Preferred Device  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
25 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
125 WATTS  
V
CEO  
60 V  
60 V  
80 V  
80 V  
5.0  
100 V  
100 V  
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
25  
40  
Base Current — Continuous  
Total Power Dissipation  
I
5.0  
Adc  
B
P
D
@ T = 25 C  
125  
1.0  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
Unclamped Inductive Load  
E
SB  
90  
mJ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
CASE 340D–02  
TO–218AC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
1.0  
θJC  
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance  
35.7  
θJA  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle  
10%.  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
25  
50  
75  
125  
C)  
150  
175  
100  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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TIP35C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP35CG ONSEMI

完全替代

 Complementary Silicon High?Power Transistors
BD249CG ONSEMI

功能相似

 NPN High−Power Transistor

与TIP35C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP35C TO-247 CENTRAL

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 		100V,25A,125W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw
TIP35C_01 KEC

获取价格

 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
TIP35C_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Complementary power transistors
TIP35C_15 UTC

获取价格

 		HIGH POWER TRANSISTORS
TIP35CA KEC

获取价格

 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
TIP35CF KISEMICONDUCTOR

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistor
TIP35CF CDIL

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
TIP35CFNPN CDIL

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
TIP35CG ONSEMI

获取价格

 		Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP35CG-X-T3N-T UTC

获取价格

 		HIGH POWER TRANSISTORS

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