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TIP35C

更新时间： 2024-11-29 03:59:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP35C 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-218包装说明：CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.29外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz

TIP35C 数据手册

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by TIP35A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.  
•
•
•
•
25 A Collector Current  
Low Leakage Current — I  
Excellent DC Gain — h  
High Current Gain Bandwidth Product —  
f = 1.0 MHz  
= 1.0 mA @ 30 and 60 V  
CEO  
= 40 Typ @ 15 A  
FE  
h = 3.0 min @ I = 1.0 A,  
fe C  
MAXIMUM RATINGS  
TIP35A TIP35B TIP35C  
TIP36A TIP36B TIP36C  
*Motorola Preferred Device  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
25 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
125 WATTS  
V
CEO  
60 V  
60 V  
80 V  
80 V  
5.0  
100 V  
100 V  
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
25  
40  
Base Current — Continuous  
Total Power Dissipation  
I
5.0  
Adc  
B
P
D
@ T = 25 C  
125  
1.0  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
Unclamped Inductive Load  
E
SB  
90  
mJ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
CASE 340D–02  
TO–218AC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
1.0  
θJC  
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance  
35.7  
θJA  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle  
10%.  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
25  
50  
75  
125  
C)  
150  
175  
100  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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TIP35C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP35CG ONSEMI

完全替代

 Complementary Silicon High?Power Transistors
BD249CG ONSEMI

功能相似

 NPN High−Power Transistor

与TIP35C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP35C TO-247 CENTRAL

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 		100V,25A,125W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw
TIP35C_01 KEC

获取价格

 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
TIP35C_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Complementary power transistors
TIP35C_15 UTC

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 		HIGH POWER TRANSISTORS
TIP35CA KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
TIP35CF KISEMICONDUCTOR

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TIP35CF CDIL

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TIP35CFNPN CDIL

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 		POWER TRANSISTORS
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TIP35CG-X-T3N-T UTC

获取价格

 		HIGH POWER TRANSISTORS

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