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Datasheet > TIP35C_01

TIP35C_01 PDF预览

TIP35C_01

更新时间： 2022-09-19 10:23:42

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	292K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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TIP35C_01 数据手册

浏览型号TIP35C_01的Datasheet PDF文件第2页

SEMICONDUCTOR

TIP35C

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.

A

Q

B

K

FEATURES

Recommended for 75W Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

Complementary to TIP36C.

Icmax:25A.

DIM MILLIMETERS

A

B

C

D

d

15.9 MAX

4.8 MAX

_

20.0+0.3

_

2.0+0.3

D

1.0+0.3/-0.25

E

F

2.0

1.0

G

H

I

3.3 MAX

9.0

d

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

4.5

P

J

P

T

2.0

M

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

V

K

L

M

P

1.8 MAX

_

+

20.5 0.5

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

100

5

2.8

_

5.45+0.2

1

2

3

V

_

Φ3.2 0.2

Q

T

+

0.6+0.3/-0.1

1. BASE

V

2. COLLECTOR

3. EMITTER

25

A

I_B

Base Current

5.0

A

Collector Power Dissipation

P_C

TO-3P(N)

125

W

(Tc=25

)

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=100V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

10

10

-

UNIT

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

A

A

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=50mA, I_B=0

V_CE=5V, I_C=1.5A

V_CE=4V, I_C=15A

I_C=15A, I_B=1.5A

I_C=25A, I_B=5.0A

V_CE=5V, I_C=5A

V_CE=5V, I_C=1A

Collector-emitter Breakdown Voltage

100

55

15

-

V

160

-

DC Current Gain

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE

1.8

4.0

1.5

-

Collector-Emitter Saturation Voltage

V

-

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

-

V

f_T

3.0

MHz

Note : h_FE(1) Classification R:55~110, O:80~160

2001. 1. 18

Revision No : 3

1/2

12

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