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TIP35CPBFREE

更新时间： 2024-11-29 13:01:07
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CENTRAL 晶体晶体管开关局域网
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2页 265K
描述
Power Bipolar Transistor,

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TIP35CPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：125 W表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

TIP35CPBFREE 数据手册

 浏览型号TIP35CPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN  
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP35, TIP36  
Series types are Complementary Silicon Power  
Transistors manufactured by the epitaxial base  
process, designed for high current amplifier and  
switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-218 TRANSISTOR CASE  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C UNITS  
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
80  
100  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
60  
80  
100  
V
5.0  
25  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
I
A
C
I
40  
A
CM  
I
5.0  
125  
A
B
Power Dissipation  
P
W
°C  
°C/W  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
1.0  
J
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=30V, (TIP35, TIP35A, TIP36, TIP36A)  
=60V, (TIP35B, TIP35C, TIP36B, TIP36C)  
1.0  
mA  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
1.0  
0.7  
1.0  
mA  
mA  
mA  
V
=Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =30mA (TIP35, TIP36)  
40  
60  
CEO  
CEO  
C
I =30mA (TIP35A, TIP36A)  
V
C
I =30mA (TIP35B, TIP36B)  
80  
V
CEO  
C
I =30mA (TIP35C, TIP36C)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =15A, I =1.5A  
1.8  
4.0  
2.0  
4.5  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =25A, I =5.0A  
V
C
B
V
=4.0V, I =15A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=4.0V, I =25A  
V
C
h
h
h
=4.0V, I =1.5A  
25  
10  
25  
3.0  
C
=4.0V, I =15A  
100  
FE  
C
=10V, I =1.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=10V, I =1.0A, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
R1 (29-October 2008)  
12

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