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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP36A
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TIP36A

更新时间： 2024-11-04 08:48:39
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP36A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP36A 数据手册

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TIP36, TIP36A, TIP36B, TIP36C  
PNP SILICON POWER TRANSISTORS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with the  
TIP35 Series  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
125 W at 25°C Case Temperature  
25 A Continuous Collector Current  
40 A Peak Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
TIP36  
-80  
-100  
-120  
-140  
-40  
TIP36A  
TIP36B  
TIP36C  
TIP36  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
TIP36A  
TIP36B  
TIP36C  
-60  
VCEO  
V
-80  
-100  
-5  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
-25  
-40  
A
-5  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
125  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
3.5  
2
½LIC  
90  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp £ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -0.4 A, RBE = 100 W,  
VBE(off) = 0, RS = 0.1 W, VCC = -20 V.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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