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TIP36C PDF预览

TIP36C

更新时间： 2024-11-04 08:48:39
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 265K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP36C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-218
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
VCEsat-Max：4 VBase Number Matches：1

TIP36C 数据手册

 浏览型号TIP36C的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN  
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP35, TIP36  
Series types are Complementary Silicon Power  
Transistors manufactured by the epitaxial base  
process, designed for high current amplifier and  
switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-218 TRANSISTOR CASE  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C UNITS  
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
80  
100  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
60  
80  
100  
V
5.0  
25  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
I
A
C
I
40  
A
CM  
I
5.0  
125  
A
B
Power Dissipation  
P
W
°C  
°C/W  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
1.0  
J
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=30V, (TIP35, TIP35A, TIP36, TIP36A)  
=60V, (TIP35B, TIP35C, TIP36B, TIP36C)  
1.0  
mA  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
1.0  
0.7  
1.0  
mA  
mA  
mA  
V
=Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =30mA (TIP35, TIP36)  
40  
60  
CEO  
CEO  
C
I =30mA (TIP35A, TIP36A)  
V
C
I =30mA (TIP35B, TIP36B)  
80  
V
CEO  
C
I =30mA (TIP35C, TIP36C)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =15A, I =1.5A  
1.8  
4.0  
2.0  
4.5  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =25A, I =5.0A  
V
C
B
V
=4.0V, I =15A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=4.0V, I =25A  
V
C
h
h
h
=4.0V, I =1.5A  
25  
10  
25  
3.0  
C
=4.0V, I =15A  
100  
FE  
C
=10V, I =1.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=10V, I =1.0A, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
R1 (29-October 2008)  
12

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与TIP36C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP36C TO-247 CENTRAL

获取价格

 		100V,25A,125W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Sw
TIP36C_01 KEC

获取价格

 		TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36C_03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36C_15 UTC

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 		HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36CA KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36CF CDIL

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 		POWER TRANSISTORS
TIP36CFPNP CDIL

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 		POWER TRANSISTORS
TIP36CG ONSEMI

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 		Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP36CG-R-T3P-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP
TIP36CL-R-T3P-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP

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