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TIP36CP

更新时间: 2024-11-04 08:48:39
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 199K
描述
Complementary power transistors

TIP36CP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.08最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):125 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

TIP36CP 数据手册

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TIP35CP  
TIP36CP  
Complementary power transistors  
.
Features  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary NPN-PNP transistors  
Applications  
General purpose  
Audio amplifier  
3
2
1
TO-3P  
Description  
The devices are manufactured in planar  
technology with “base island” layout. The  
resulting transistors show exceptional high gain  
performance coupled with very low saturation  
voltage.  
Figure 1.  
Internal schematic diagrams  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
TO-3P  
Packaging  
TIP35CP  
TIP36CP  
TIP35CP  
TIP36CP  
Tube  
September 2008  
Rev 2  
1/9  
www.st.com  
9

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