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TIP41

更新时间： 2024-02-04 02:03:25
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页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
NPN Silicon Power Transistor

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TIP41 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.64最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP41 数据手册

 浏览型号TIP41的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP41的Datasheet PDF文件第3页 
TIP41 Series  
NPN Silicon Power Transistor  
P b  
Lead(Pb)-Free  
COLLECTOR  
2
1
BASE  
1
2
3
FEATURES:  
* Medium Power Linear Switching Applications  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
3
TO-220  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
TIP41A  
Units  
TIP41  
TIP41B TIP41C  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
60  
V
V
40  
80  
80  
100  
100  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
5
V
A
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
6
2
PC  
W
℃
TJ  
150  
Tstg  
Storage Temperature  
-55-150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
MAX  
UNIT  
TIP41  
TIP41A  
TIP41B  
TIP41C  
TIP41  
40  
60  
80  
V
Collector-base breakdown voltage  
IC=1mA, I  
E=0  
V(BR)CBO  
100  
40  
60  
80  
TIP41A  
TIP41B  
TIP41C  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
IC=30mA, I  
B=0  
V
V
100  
5
IE= 1mA, I  
VCB=40V, I  
C=0  
TIP41  
TIP41A  
TIP41B  
TIP41C  
E=0  
E=0  
E=0  
V
CB=60V, I  
Collector cut-off current  
mA  
0.4  
VCB=80V, I  
VCB=100V, IE =0  
TIP41/41A  
VCE=30V, IB=0  
ICEO  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
mA  
mA  
0.7  
1
=0  
TIP41B/41C  
VCE=60V, IB  
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
hFE(1)  
VCE=4V, I  
C=0.3A  
30  
15  
DC current gain  
hFE(2)  
VCE=4V, I  
C=3A  
75  
1.5  
VCE (sat) IC=6A, IB =0.6A  
VCE=4V, I  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
V
C=6A  
VBE(on)  
2
VCE=10V, IC=0.5A  
f = 1MHz  
MHz  
Transition Frequency  
f T  
3
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/3  
12-Aug-10  
123

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