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TIP36CA PDF预览

TIP36CA

更新时间： 2024-11-04 12:30:59
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 445K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR

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TIP36CA 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.6外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

TIP36CA 数据手册

 浏览型号TIP36CA的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
TIP36CA  
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.  
A
N
O
B
Q
FEATURES  
K
Recommended for 75W Audio Frequency  
Amplifier Output Stage.  
Complementary to TIP35CA.  
Icmax:-25A.  
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
+
15.60 0.20  
_
B
C
D
d
+
4.80 0.20  
_
+
19.90 0.20  
_
2.00 0.20  
+
_
+
1.00 0.20  
_
E
+
3.00 0.20  
_
+
3.80 0.20  
F
G
H
I
D
E
_
3.50 + 0.20  
_
13.90 0.20  
+
_
12.76 0.20  
+
M
d
_
J
23.40 + 0.20  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
K
L
M
1.5+0.15-0.05  
_
16.50 + 0.30  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-100  
-100  
-5  
UNIT  
V
_
1.40 0.20  
+
P
P
T
_
13.60 + 0.20  
N
O
P
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
_
+
9.60 0.20  
_
+
5.45 0.30  
V
2
3
1
_
Q
3.20 0.10  
+
_
+
R
T
18.70 0.20  
V
0.60+0.15-0.05  
1. BASE  
-25  
A
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
IB  
Base Current  
-5.0  
A
Collector Power Dissipation  
TO-3P(N)-E  
PC  
125  
W
(Tc=25  
)
Tj  
Junction Temperature  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=-100V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10  
-10  
-
A
A
IEBO  
VEB=-5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
V(BR)CEO  
hFE(1) (Note)  
hFE(2)  
IC=-50mA, IB=0  
VCE=-5V, IC=-1.5A  
VCE=-4V, IC=-15A  
IC=-15A, IB=-1.5A  
IC=-25A, IB=-5.0A  
VCE=-5V, IC=-5A  
VCE=-5V, IC=-1A  
Collector-emitter Breakdown Voltage  
-100  
55  
15  
-
V
160  
-
DC Current Gain  
VCE(sat)(1)  
VCE(sat)(2)  
VBE  
-1.8  
-4.0  
-1.5  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
-
Base-Emitter Voltage  
Transition Frequency  
-
V
fT  
3.0  
MHz  
Note : hFE(1) Classification R:55~110, O:80~160  
2005. 5. 16  
Revision No : 0  
1/2  
12

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