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TIP36C PDF预览

TIP36C

更新时间： 2024-11-29 06:01:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP36C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-218ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：125 W最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

TIP36C 数据手册

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by TIP35A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.  
•
•
•
•
25 A Collector Current  
Low Leakage Current — I  
Excellent DC Gain — h  
High Current Gain Bandwidth Product —  
f = 1.0 MHz  
= 1.0 mA @ 30 and 60 V  
CEO  
= 40 Typ @ 15 A  
FE  
h = 3.0 min @ I = 1.0 A,  
fe C  
MAXIMUM RATINGS  
TIP35A TIP35B TIP35C  
TIP36A TIP36B TIP36C  
*Motorola Preferred Device  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
25 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
125 WATTS  
V
CEO  
60 V  
60 V  
80 V  
80 V  
5.0  
100 V  
100 V  
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
25  
40  
Base Current — Continuous  
Total Power Dissipation  
I
5.0  
Adc  
B
P
D
@ T = 25 C  
125  
1.0  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
Unclamped Inductive Load  
E
SB  
90  
mJ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
CASE 340D–02  
TO–218AC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
1.0  
θJC  
Junction–To–Free–Air Thermal Resistance  
35.7  
θJA  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle  
10%.  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
25  
50  
75  
125  
C)  
150  
175  
100  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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与TIP36C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP36C TO-247 CENTRAL

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 		100V,25A,125W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Sw
TIP36C_01 KEC

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 		TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36C_03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36C_15 UTC

获取价格

 		HIGH POWER TRANSISTORS
TIP36CA KEC

获取价格

 		TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
TIP36CF CDIL

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
TIP36CFPNP CDIL

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
TIP36CG ONSEMI

获取价格

 		Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP36CG-R-T3P-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP
TIP36CL-R-T3P-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), PNP

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