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TIP36 PDF预览

TIP36

更新时间： 2024-11-03 08:48:39
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CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 265K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP36 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

TIP36 数据手册

 浏览型号TIP36的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN  
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR TIP35, TIP36  
Series types are Complementary Silicon Power  
Transistors manufactured by the epitaxial base  
process, designed for high current amplifier and  
switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-218 TRANSISTOR CASE  
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C UNITS  
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
80  
100  
V
CBO  
CEO  
EBO  
40  
60  
80  
100  
V
5.0  
25  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
I
A
C
I
40  
A
CM  
I
5.0  
125  
A
B
Power Dissipation  
P
W
°C  
°C/W  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
1.0  
J
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=30V, (TIP35, TIP35A, TIP36, TIP36A)  
=60V, (TIP35B, TIP35C, TIP36B, TIP36C)  
1.0  
mA  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
1.0  
0.7  
1.0  
mA  
mA  
mA  
V
=Rated V  
=5.0V  
CEO  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =30mA (TIP35, TIP36)  
40  
60  
CEO  
CEO  
C
I =30mA (TIP35A, TIP36A)  
V
C
I =30mA (TIP35B, TIP36B)  
80  
V
CEO  
C
I =30mA (TIP35C, TIP36C)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =15A, I =1.5A  
1.8  
4.0  
2.0  
4.5  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =25A, I =5.0A  
V
C
B
V
=4.0V, I =15A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=4.0V, I =25A  
V
C
h
h
h
=4.0V, I =1.5A  
25  
10  
25  
3.0  
C
=4.0V, I =15A  
100  
FE  
C
=10V, I =1.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=10V, I =1.0A, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
R1 (29-October 2008)  
12

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