TIP35D

更新时间： 2024-11-03 07:04:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	220K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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TIP35D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

TIP35D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

TIP35D

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 25(Min)@I_C= 1.5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 120V(Min)

·Complement to Type TIP36D

·Current Gain-Bandwidth Product-

: f_T= 3.0MHz(Min)@I_C= 1.0A

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

160

120

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Current-peak

Base Current

I_CM

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@ T_C=25℃

Junction Temperature

125

150

-65~150

℃

T_j

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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