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TIP35CA

更新时间： 2024-01-22 15:24:29

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	445K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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TIP35CA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

TIP35CA 数据手册

TIP35CA

SWITCHING CHARACTERISTICS

=25 C

=30V

/I =10

0.5

0.3

B1 B2

stg

0.1

0.5

0.3

0.05

0.03

d(on)

=25 C

/I =10

=30V

0.01

0.3

0.1

0.5

0.3

0.5

COLLECTOR CURRENT I (A)

REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA

h_FE- I_C

=4.0V

T 100 C

T =25 C

500

300

100

0.2

0.5

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V

120

100

COLLECTOR CURRENT I (A)

(V)

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

P _D- Tc

100

150

125

100

MAX.(PULSED)*

10mS*

1.0mS*

MAX

300µS*

(CONTINUOUS)

SINGLE NONREPETITIVE

PLUSE Ta=25 C

CURVES MUST BE DERATED

LINEARLY WITH INCREASE

IN TEMPERATURE

0.5

0.3

100

CASE TEMPERATURE Tc ( C)

150

125

0.1

30 50 100

200

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V

(V)

2005. 5. 16

Revision No : 0

2/2

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