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TIP35C

更新时间: 2024-02-03 17:43:04
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KISEMICONDUCTOR 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 5819K
描述
Silicon PNP Power Transistor

TIP35C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.09最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

TIP35C 数据手册

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