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TIP35C

更新时间： 2024-11-04 08:48:39

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KEC		晶体晶体管放大器局域网
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2页	292K
描述
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

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TIP35C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	TO-3P(N), 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

TIP35C 数据手册

SEMICONDUCTOR

TIP35C

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

Recommended for 75W Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

Complementary to TIP36C.

Icmax:25A.

DIM MILLIMETERS

15.9 MAX

4.8 MAX

20.0+0.3

2.0+0.3

1.0+0.3/-0.25

2.0

1.0

3.3 MAX

9.0

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

4.5

2.0

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

1.8 MAX

20.5 0.5

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

2.8

5.45+0.2

Φ3.2 0.2

0.6+0.3/-0.1

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

I_B

Base Current

5.0

Collector Power Dissipation

P_C

TO-3P(N)

125

(Tc=25

)

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=100V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=50mA, I_B=0

V_CE=5V, I_C=1.5A

V_CE=4V, I_C=15A

I_C=15A, I_B=1.5A

I_C=25A, I_B=5.0A

V_CE=5V, I_C=5A

V_CE=5V, I_C=1A

Collector-emitter Breakdown Voltage

100

160

DC Current Gain

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE

1.8

4.0

1.5

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

f_T

3.0

MHz

Note : h_FE(1) Classification R:55~110, O:80~160

2001. 1. 18

Revision No : 3

1/2

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