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TIP35C

更新时间: 2024-09-26 20:21:27
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德州仪器 - TI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
25A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

TIP35C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.06
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

TIP35C 数据手册

  

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