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SVF12N60F

更新时间: 2024-11-19 15:18:59
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 366K
描述
TO-220F-3L

SVF12N60F 数据手册

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士兰微电子  
SVF12N60F/S/K 说明书  
12A600V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVF12N60F/S/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用  
士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造进的工艺及元  
胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩  
击穿耐量。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压  
H PWM 马达驱动。  
1
2
3
特点  
TO-262-3L  
12A600VRDS(on)(典型值)=0.58@VGS=10V  
低栅极电荷量  
低反向传输电容  
1
开关速度快  
1
3
2
3
提升了 dv/dt 能力  
TO-220F-3L  
TO-263-2L  
产品规格分类  
产品名称  
SVF12N60F  
封装形式  
TO-220F-3L  
TO-263-2L  
TO-263-2L  
TO-262-3L  
打印名称  
环保等级  
无铅  
包装方式  
料管  
SVF12N60F  
SVF12N60S  
SVF12N60S  
SVF12N60K  
SVF12N60S  
SVF12N60STR  
SVF12N60K  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:2.7  
10 页 第 1 页  

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