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SVF20N60F

更新时间： 2024-03-03 10:11:32

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士兰微 - SILAN		/
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8页	328K
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TO-220F-3L

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SVF20N60F 数据手册

士兰微电子

SVF20N60F 说明书

20A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF20N60F 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管，采用

士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺

及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性

能及很高的雪崩击穿耐量。

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点



20A，600V，R_DS(on)(_典型值=0.28@V_GS=10V

)

TO-220F-3L

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF20N60F

TO-220F-3L

SVF20N60F

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.9

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