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SVF2N60RMJ

更新时间： 2024-11-19 15:19:03

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士兰微 - SILAN		/
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9页	401K
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TO-251J-3L

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SVF2N60RMJ 数据手册

士兰微电子

SVF2N60RD/M/MJ 说明书

2A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



2A，600V，R_DS(on)(_典型值=3.7@V_GS=10V

)

TO-252-2L

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-251J-3L

TO-251D-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF2N60RDTR

SVF2N60RM

封装形式

TO-252-2L

TO-251D-3L

TO-251J-3L

打印名称

2N60RD

2N60RM

2N60RMJ

环保等级

无卤

包装方式

编带

无卤

料管

SVF2N60RMJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 9 页第 1 页

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