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SVF23N50PN

更新时间： 2024-11-21 15:19:11

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SVF23N50PN 数据手册

士兰微电子

SVF23N50PN 说明书

23A、500V N沟道增强型场效应管

描述

SVF23N50PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管，采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开

关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



23A，500V，R_DS(on)_{（典型值）}=0.21@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-3P

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF23N50PN

TO-3P

23N50

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 7 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVF25NE50PN	SILAN	获取价格	TO-3P
SVF2N60CF	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
SVF2N60F	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
SVF2N60RD	SILAN	获取价格	TO-252-2L
SVF2N60RMJ	SILAN	获取价格	TO-251J-3L
SVF-30-B	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-B/CE	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-B/Q	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-C	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-C/CE	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT