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SVF2N60CF

更新时间： 2024-09-25 15:19:27

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士兰微 - SILAN		/
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10页	360K
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TO-220F-3L

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SVF2N60CF 数据手册

士兰微电子

SVF2N60CN/M/F 说明书

2A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF2N60CN/M/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

高的雪崩击穿耐量。

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点

TO-251D-3L

TO-126-3L



2A，600V，R_DS(on)(_典型值=3.7@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220F-3L

产品规格分类

产品名称

SVF2N60CN

SVF2N60CM

SVF2N60CF

封装形式

TO-126-3L

TO-251D-3L

TO-220F-3L

打印名称

SVF2N60CN

SVF2N60C

SVF2N60CF

环保等级

无铅

包装方式

料管

无卤

料管

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：2.2

共 10 页第 1 页

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