Datasheet > SVF25NE50PN

SVF25NE50PN

更新时间： 2024-03-03 10:09:25

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
7页	317K
描述
TO-3P

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVF25NE50PN 数据手册

士兰微电子

SVF25NE50PN 说明书

25A、500V N沟道增强型场效应管

描述

2. 漏极

SVF25NE50PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管，采用

士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及

条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

很高的雪崩击穿耐量。

1. 栅极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H

桥 PWM 马达驱动。

3. 源极

特点



25A，500V，R_DS(on)_{（典型值）}=0.18@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-3P

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF25NE50PN

TO-3P

25NE50

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 7 页第 1 页

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与SVF25NE50PN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVF2N60CF	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
SVF2N60F	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
SVF2N60RD	SILAN	获取价格	TO-252-2L
SVF2N60RMJ	SILAN	获取价格	TO-251J-3L
SVF-30-B	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-B/CE	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-B/Q	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-C	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-C/CE	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
SVF-30-C/Q	MSYSTEM	获取价格	Plug-in Signal Conditioners M-UNIT