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SVF14N25CD

更新时间： 2024-11-21 15:18:55

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士兰微 - SILAN		/
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8页	379K
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TO-252-2L

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SVF14N25CD 数据手册

士兰微电子

SVF14N25CD 说明书

14A、250V N沟道增强型场效应管

描述

SVF14N25CD N 沟道增强型中低压功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰微电子 F-Cell^TM平面中低压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺

及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

很高的雪崩击穿耐量。

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点

TO-252-2L



14A，250V，R_DS(on)(_典型值=0.28@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF14N25CDTR

TO-252-2L

14N25CD

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

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