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SVF18N65F

更新时间： 2024-11-13 18:09:31

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士兰微 - SILAN		/
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9页	357K
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TO-220F-3L

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SVF18N65F 数据手册

士兰微电子

SVF18N65F/T/PN 说明书

18A、650V N沟道增强型场效应管

描述

SVF18N65F/T/PN N沟道增强型高压功率 MOS场效应晶体管采用

士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及

原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪

崩击穿耐量。

TO-220-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H

桥 PWM 马达驱动。

特点

TO-220F-3L

TO-3P



18A，650V，R_DS(on)(_典型值=0.48@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF18N65F

封装形式

TO-220F-3L

TO-220-3L

TO-3P

打印名称

SVF18N65F

SVF18N65T

18N65

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVF18N65T

无铅

料管

SVF18N65PN

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 9 页第 1 页

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SVF20N50PN	SILAN	获取价格	20A, 500V N-CHANNEL MOSFET
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SVF20NE50PN	SILAN	获取价格	TO-3P
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SVF2N60F	SILAN	获取价格	TO-220F-3L
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