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SVF18N50F

更新时间： 2024-11-19 15:18:15

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士兰微 - SILAN		/
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10页	389K
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TO-220F-3L

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SVF18N50F 数据手册

士兰微电子

SVF18N50F(T)(PN)(FJ)说明书

18A、500V N沟道增强型场效应管

描述

SVF18N50F/T/PN/FJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管

采用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

很高的雪崩击穿耐量。

TO-220F-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动。

特点



18A，500V，R_DS(on)(_典型值=0.26@V_GS=10V

TO-3P

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220-3L

TO-220FJ-3L

产品规格分类

产品名称

SVF18N50F

SVF18N50T

SVF18N50PN

SVF18N50FJ

封装形式

TO-220F-3L

TO-220-3L

TO-3P

打印名称

SVF18N50F

SVF18N50T

18N50

环保等级

无铅

包装方式

料管

无铅

料管

无铅

料管

TO-220FJ-3L

SVF18N50FJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：2.3

共 10 页第 1 页

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