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SVF18NE50PN

更新时间： 2024-11-18 15:19:39

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士兰微 - SILAN		/
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SVF18NE50PN 数据手册

士兰微电子

SVF18NE50PN 说明书

18A、500V N沟道增强型场效应管

描述

2. 漏极

SVF18NE50PN N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士

兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条

状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及

很高的雪崩击穿耐量。

1. 栅极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H

桥 PWM 马达驱动。

3. 源极

特点



18A，500V，R_DS(on)(_典型值=0.26@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-3P

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

材料

包装形式

无铅

料管

SVF18NE50PN

TO-3P

18NE50

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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