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SVF13N50AF

更新时间: 2024-11-21 17:01:31
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 296K
描述
TO-220F-3L

SVF13N50AF 数据手册

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士兰微电子  
SVF13N50AF说明书  
13A500V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVF13N50AF N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰  
微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状  
的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很  
高的雪崩击穿耐量。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压  
H PWM 马达驱动。  
特点  
1
2
3
13A500VRDS(ON)(典型值 =0.44@VGS=10V  
)
TO-220F-3L  
低栅极电荷量  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
产品规格分类  
产 品 名 称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装形式  
无铅  
料管  
SVF13N50AF  
TO-220F-3L  
SVF13N50AF  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.0  
8页 第1页  
http: //www.silan.com.cn  

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