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SVF13N50CF

更新时间: 2024-11-21 18:09:31
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 336K
描述
TO-220F-3L

SVF13N50CF 数据手册

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士兰微电子  
SVF13N50CF(T)说明书  
13A500V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVF13N50CF(T) N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管  
采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进  
的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻越的开关性能  
及很高的雪崩击穿耐量。  
1
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源DC-DC 电源转换器高  
H PWM 马达驱动。  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
13A500VRDS(ON)(典型值 =0.44@VGS=10V  
)
低栅极电荷量  
低反向传输电容  
开关速度快  
1
1
2
2
3
提升了 dv/dt 能力  
3
TO-220-3L  
TO-220F-3L  
产品规格分类  
产品名称  
SVF13N50CF  
SVF13N50CT  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
TO-220F-3L  
TO-220-3L  
SVF13N50CF  
SVF13N50CT  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.6  
8 页 第 1 页  

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