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SVF14N60CFJ

更新时间: 2024-03-03 10:11:26
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
7页 318K
描述
TO-220FJ-3L

SVF14N60CFJ 数据手册

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士兰微电子  
SVFP14N60CFJ 说明书  
14A600V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVFP14N60CFJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原  
胞结构使得该产品具有较低的导通电阻越的开关性能及很高的雪崩击  
穿耐量。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源DC-DC 电源转换器H  
PWM 马达驱动。  
特点  
1
2
3
14A600VRDS(on)(典型值)=0.54@VGS=10V  
低栅极电荷量  
TO-220FJ-3L  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
命名规则  
X N E X X C X  
S V F P  
封装外形标识  
例如:FJ:TO-220FJ;  
士兰F-Cell工艺VDMOS产品  
标识  
版本  
工艺版本,P表示钝化  
PASSIVATION  
额定耐压值,采用2位数字  
额定电流标识,采用1-2位数字;  
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,  
08 代表 0.8A  
例如:60表示600V,65表示650V  
特殊功能、规格标识,通常省略  
例如:E 表示内置了ESD保护结构  
沟道极性标识,N代表N 沟道  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-220FJ-3L  
打印名称  
环保等级  
无卤  
包装  
料管  
SVFP14N60CFJ  
14N60CFJ  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
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