SUM45N25-58

更新时间： 2024-11-28 21:53:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	45K
描述
N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET

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SUM45N25-58 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.42	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	375 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUM45N25-58 数据手册

SUM45N25-58

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 250-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

PRODUCT SUMMARY

D New Low Thermal Resistance Package

APPLICATIONS

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.058 @ V = 10 V

250

D Primary Side Switch

0.062 @ V = 6 V

D Plasma Display Panel Sustainer Function

TO-263

D S

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: SUM45N25-58-

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

250

"30

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

= 25_C

375

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

0.4

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72314

S-31515—Rev. A, 14-Jul-03

www.vishay.com

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