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SUM50UFS PDF预览

SUM50UFS

更新时间： 2024-11-29 18:47:27
品牌 Logo 应用领域
SSDI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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SUM50UFS 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.66其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-XALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.4 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5000 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SUM50UFS 数据手册

 浏览型号SUM50UFS的Datasheet PDF文件第2页 
SUM20UF & UFSMS  
thru  
SUM50UF & UFSMS  
Solid State Devices, Inc.  
14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638  
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773  
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com  
Designer’s Data Sheet  
Part Number / Ordering Information 1/  
0.4 AMP  
2000-5000 VOLTS  
60 nsec  
SUM __ UF __ __  
HIGH VOLTAGE  
ULTRA FAST RECTIFIER  
L Screening2/ __ = Not Screened  
TX = TX Level  
TXV = TXV Level  
S = S Level  
L
Package  
FEATURES:  
___ = Axial  
SMS = Surface Mount Square Tab  
Recovery Time  
Fast Recovery: 60 nsec Maximum  
PIV to 5000 Volts  
Hermetically Sealed Axial and Surface  
Mount Package  
Void-Free Construction  
Metallurgically Bonded  
175°C Maximum Operating Temperature  
TX, TXV, and Space Level Screening  
Available2/  
L
UF = Ultra Fast  
L
Voltage  
20 = 2000 V  
25 = 2500 V  
30 = 3000 V  
35 = 3500 V  
40 = 4000 V  
50 = 5000 V  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum  
Surge  
Current  
(1 Cycle)  
Maximum  
Reverse  
Recovery  
Time  
Peak  
Inverse  
Voltage  
Average  
Rectifier  
Current  
Maximum  
Reverse  
Current  
Maximum  
Forward  
Voltage  
Maximum  
Junction  
Capacitance Impedance  
Typical  
Thermal  
Part  
Number  
I
V
F
I
t
C
θ
θ
Symbol  
Units  
PIV  
IR  
0
FSM  
RR  
J
JL/ JE  
mA  
µA  
Volts  
25°C  
Amps  
25°C  
nsec  
25°C  
pF  
°C/W  
Volts  
V
= 100V  
= 1MHZ  
R
Conditions  
25°C 100°C  
25°C  
100°C  
L = 3/8”  
f
T
SUM20UF  
SUM25UF  
SUM30UF  
2000 400 250  
2500 400 250  
3000 400 250  
1.0  
1.0  
1.0  
25  
25  
25  
10  
10  
13  
25  
25  
25  
60  
60  
60  
10  
16  
16  
16  
10  
10  
SUM35UF  
SUM40UF  
SUM50UF  
3500 400 250  
4000 400 250  
5000 400 250  
1.0  
1.0  
1.0  
25  
25  
25  
13  
13  
13  
25  
25  
25  
60  
60  
60  
10  
10  
10  
16  
16  
16  
1/ For ordering information, price, and availability – contact factory.  
2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.  
3/ Operating and testing over 10,000 V/inch may require encapsulation or immersion in a suitable  
dielectric material.  
Axial  
Surface Mount  
Square Tab  
4/ Max. forward voltage measured with instantaneous forward pulse of 300µsec minimum.  
5/ Max. Lead/End Tab temp. for soldering is 250°C, 3/8” from case for 5 sec maximum.  
6/ Operating and storage temperature: -65°C to +175°C.  
7/ Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=25mA, TA=25°C.  
NOTE: All specifications are subject to change without notification.  
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.  
DATA SHEET #: RC0040D  
DOC  
12

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与SUM50UFS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM50UFSMS SSDI

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 		0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM50UFSMSS SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
SUM50UFSMSTX SSDI

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 		暂无描述
SUM50UFSMSTXV SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
SUM50UFTXV SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM52N20-39P VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM52N20-39P-E3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
SUM55N03-16P VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) 175℃ MOSFET
SUM55P06-19L VISHAY

获取价格

 		P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUM55P06-19L_08 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET

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