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SUM60N04-05T-E3

更新时间： 2024-11-29 21:15:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 103K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUM60N04-05T-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SUM60N04-05T-E3 数据手册

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SUM60N04-05T  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFETS Plus  
Temperature Sensing Diode  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Available  
60a  
0.0054 at VGS = 10 V  
40  
RoHS*  
•
•
175 °C Junction Temperature  
COMPLIANT  
Low Thermal Resistance Package  
2
D PAK-5  
D
T
T
1
2
1 2 3 4 5  
D
1
D
2
G
G
D
S
T
2
T
S
1
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUM60N04-05T-E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60a  
60a  
TC = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)d  
ID  
T
C = 100 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
250  
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)d  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energyb  
60a  
60a  
180  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
200c  
3.75d  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambientd  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
PCB Mountd  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case  
0.75  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle ≤ 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72430  
S-80274-Rev. B, 11-Feb-08  
www.vishay.com  
1
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与SUM60N04-05T-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM60N04-06T VISHAY

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 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
SUM60N04-06T-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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