生命周期: | Active | 包装说明: | E-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | E-LELF-R2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.4 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 5000 V | 最大反向恢复时间: | 0.06 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM50UFSMSTX | SSDI |
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暂无描述 | |
SUM50UFSMSTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN | |
SUM50UFTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM52N20-39P | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SUM52N20-39P-E3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK | |
SUM55N03-16P | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) 175℃ MOSFET | |
SUM55P06-19L | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM55P06-19L_08 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM55P06-19L-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM60020E | VISHAY |
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N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |