SUM55P06-19L

更新时间： 2024-02-17 20:24:37

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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6页	118K
描述
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET

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SUM55P06-19L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM55P06-19L 数据手册

SUM55P06-19L

Vishay Siliconix

P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^d

- 55

Available

0.019 at V_GS= - 10 V

0.025 at V_GS= - 4.5 V

RoHS*

- 60

COMPLIANT

- 48

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM55P06-19L

SUM55P06-19L-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 60

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

- 55

- 31

- 150

- 45

101

Continuous Drain Current^d(T_J= 175 °C)

I_D

T_C= 125 °C

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Pulse Avalanche Energy^a

E_AS

125^c

3.75

_C= 25 °C

P_D

Power Dissipation

_A= 25 °C^b

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

PCB Mount^b

R_thJA

°C/W

R_thJC

1.2

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1%.

b. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

c. See SOA curve for voltage derating.

d. Limited by package.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 73059

S-80272-Rev. C, 11-Feb-08

www.vishay.com

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SUM55P06-19L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SUM55P06-19L-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUP65P06-20	TEMIC	功能相似	P-Channel Enhancement-Mode Transistors

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM55P06-19L_08	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
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SUM60020E	VISHAY	获取价格	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SUM60030E	VISHAY	获取价格	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SUM60030E-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SUM60061EL	VISHAY	获取价格	P-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SUM60F	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60F_1	SSDI	获取价格	180 FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60FS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN
SUM60FSMS	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER