是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM60N10-17 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUM60N10-17_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM60N10-17-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | |
SUM60P05-11LT | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode | |
SUM60UF | SSDI |
获取价格 |
400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER | |
SUM60UF_1 | SSDI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER | |
SUM60UFS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM60UFSMS | SSDI |
获取价格 |
400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER | |
SUM60UFSMSTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SUM60UFTX | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |