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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUM60P05-11LT | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
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| SUM60UF | SSDI |
获取价格 |
400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER |
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| SUM60UF_1 | SSDI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER |
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| SUM60UFS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SUM60UFSMS | SSDI |
获取价格 |
400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER |
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| SUM60UFSMSTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SUM60UFTX | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SUM65N20-30 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUM65N20-30_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUM65N20-30-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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